Chińska Akademia Nauk pokazuje tranzystory GAA na DUV. Parametry klasy 3 nm, ale gęstość bliżej 5 nm

Дата публикации: 19-09-2026 04:00:01

Chińska Akademia Nauk szuka sposobu na dalsze skalowanie tranzystorów bez dostępu do maszyn EUV. Instytut Mikroelektroniki CAS opracował tranzystory GAA wykonane z wykorzystaniem litografii DUV, osiągające stosunek prądu w stanie włączenia do wyłączenia przekraczający 500 000. Parametry elektryczne wskazują na potencjał kojarzony z klasą 3 nm, ale nie oznacza to gotowego procesu 3 nm. Problem pojawia się dalej. Ograniczenia MEOL i najniższych warstw metalizacji nadal blokują wzrost gęstości.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	A silicon carbide transistor that operates at 600°C	0	6.62	24-08-2026
2	Открытие учёных МФТИ повысит эффективность работы нанотранзисторов	0	7.59	24-02-2026
3	Повышение плотности чипов выходит за рамки традиционного масштабирования транзисторов	0	10.33	09-07-2026
4	New transistor brings high voltage to microchip scale	0	8.17	28-08-2026
5	Engineered atomic interface opens a new path for atomically thin transistors	0	10.15	05-08-2026
6	Ученые доказали возможность существования «одноатомных» транзисторов Специалисты Национального университета Тайваня ...	7	8	08-07-2026
7	Прогноз развития рынка силовой электроники 2026–2036 гг.	0	10.39	25-07-2026
8	TSMC & Researchers Make Big Breakthrough In Chip Transistor Technology As Part Of Push Towards Developing Sub-1-nanometer Technologies	0	6.27	07-08-2026
9	Эксперты не поверили в прорыв Китая по DUV-литографии	0	14.93	28-07-2026

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 12.05. Источник: www.purepc.pl.