В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве

Дата публикации: 24-09-2026 17:28:28

В пресс-службе Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН сообщили, что ученые разработали способ стабилизации тонких пленок диоксида гафния для использования в электронике. Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	Открытие физиков РФ и КНР ускорит разработку оптоэлектроники на базе оксида ванадия	0	0	08-04-2025
2	Российские ученые нашли способ придать оксиду галлия магнитные свойства	0	14.71	29-08-2026
3	В России разработан материал для энергоэффективной электроники нового поколения	0	7.9	28-08-2026
4	В России разработан материал для энергоэффективной электроники нового поколения	0	7.9	28-08-2026
5	Российские учёные снизили сопротивление графена почти в 18 раз	0	9.92	24-07-2026
6	Минобрнауки России: ученые МИФИ раскрыли механизм превращения двумерного алмаза в полупроводник	0	10.21	13-08-2026
7	Создали материал для энергоэффективной электроники нового поколения	0	10	28-08-2026
8	В России разработали технологию создания транзисторов из дисульфида молибдена	0	6.57	01-08-2026
9	Создан нанокомпозит, утраивающий емкость энергонакопителей	0	0	23-05-2023

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 10. Источник: www.ferra.ru.